背散射电子探测器
背散射电子 ( BSEs ) 是入射电子与试样发生弹性碰撞产生的高能量电子,其能量介于 50 eV 和入射电子能量之间。背散射电子是从更大作用区域(电子束与样品发生作用的所有区域)上发射出来的,高能量电子束入射深度达数微米,低能量电子束入射深度为几百至几十纳米。
背散射电子的产额 η(产生的背散射电子与入射到样品中的电子的比值)取决于试样的平均原子序数,平均原子序数大的区域比平均原子序数小的区域更亮。因此,背散射电子图像反映样品的成分衬度。
背散射电子探测器
TESCAN 主要有两种类型的 BSE 探测器:
BSE Detector