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二次电子探测器
二次电子探测器
二次电子是指从试样表面最浅处(深度为几 nm)发射出的低能量电子,故而能对样品表面形貌呈高分辨率图像。二次电子是由入射电子与试样发生非弹性散射而产生,能量低于 50 eV。
二次电子图像能很好地反映试样的表面形貌。图像中,试样朝向探测器的区域比背对探测器区域或者被遮挡的区域更亮,从而形成 SE 图像中的衬度。试样边缘或尖锐区域产生的二次电子更多,图像也会更亮。
大多数常见的二次电子探测器是 Everhart-Thornley(E-T)型探测器,即闪烁体-光电倍增管探测器,具有收集的二次电子信号效率高、噪声低的优点。探测器的接收网上施加几百伏的正电偏置电压,实现对带负电的二次电子的吸引。该探测器位于显微镜样品室的一侧。
镜筒内二次电子探测器
另一种二次电子探测器是置于物镜内的二次电子探测器。该探测器的优势在于能在很短的工作距离成像,因此具有更好的分辨率,呈现异常丰富的的表面细节和形貌特征。
TESCAN 的所有产品都标配高效的 Everhart-Thornley(E-T)探测器。镜筒内二次电子探测器在 MIRA3、TIMA X、LYRA3 和 FERA3 机型中为选配,可以提高成像质量;在 MAIA3、GAIA3 和 XEIA3 机型中则为标配。
SE Detector
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