线上直播 | 氙离子FIB在半导体领域的应用分享

8月/20/2021
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随着摩尔定律的发展逼近极限,3D封装技术对于半导体器件性能的提高越来越重要。3D封装器件失效分析面临的挑战是如何暴露出深埋的内部连接、倒装芯片和焊点等结构。
TESCAN将高通量 i-FIB+TM Xe 等离子 FIB镜筒与 Triglav TM UHR 电子镜筒配对,以扩展 FIB 在物理失效分析的极限,实现了超大宽度和深度横截面加工的技术突破。Xe 等离子FIB充分满足了3D封装物理失效分析的无机械应力,定点加工和快速制备大尺寸截面等要求。
 
精彩看点:

9月2日,15点,来自TESCAN半导体研发实验室专家将为大家介绍:

1. 从专业视角解读如何通过超大面积和深度的截面加工助力先进封装、微机电器件和光电集成产品的分析检测工作
2. 无Ga 污染TEM样品制备、小于10 纳米制程芯片的高质量逐层剥离(delayering),和大尺度晶圆导航观测,以实现微电子器件的高集成度、高密度和小型化。
 
如果你是失效分析实验室工程师、第三代半导体产线研发工程师、设计工程师,或者正在学习相关专业课程,都欢迎你加入我们的直播,与技术专家在线交流。
 
直播时间
9月2日15:00-16:00
扫描下方二维码即刻报名:

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讲师介绍

Lukas Hladik 
TESCAN失效分析半导体研发实验室,产品经理

多年从事与全球半导体行业失效分析检测研究工作。获得物理工程和纳米技术硕士学位后,于2012年加入TESCAN ORSAY HOLDING,担任Plasma FIB-SEM的应用专家,专注于FIB-SEM、表征和去层/电子探针解决方案。

我们与您相约直播间,记得提前注册。

 

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5. 抽奖时间:2021年9月1号

(*最终解释权归泰思肯(中国)所属)

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